RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
3273
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link