RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3273
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link