RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
14.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2353
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link