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AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
31
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
31
Velocità di lettura, GB/s
18.4
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2361
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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