RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
12.6
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2466
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link