RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
71
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
35
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2672
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link