RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2672
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link