RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2672
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link