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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
74
Intorno 64% latenza inferiore
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
74
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
1616
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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