RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1616
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link