RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3564
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link