RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
76
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
76
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link