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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
76
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
76
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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