RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
76
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
76
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link