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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
76
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
76
读取速度,GB/s
9.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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