RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
1616
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link