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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
14.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
3845
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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