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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2106
2414
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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