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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
36
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
36
Velocità di lettura, GB/s
22.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2581
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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