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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2808
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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