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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2808
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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