Comparaison de la RAM Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 11.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 7.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1683 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns