RAM-Vergleich Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1683 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns