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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
15.5
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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