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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
42
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
21
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3120
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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