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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3425
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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