RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
72
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
72
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
1731
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link