RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2533
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link