RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2324
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link