RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3806
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link