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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Differenze
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2913
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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