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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
42
Intorno -5% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
40
Velocità di lettura, GB/s
13.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
1773
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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