RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2314
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link