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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
40
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
38
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2209
2283
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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