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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
40
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
2283
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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