RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
49
Velocità di lettura, GB/s
16.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
16.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3324
2534
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link