Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    5 left arrow 15.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,135.0 left arrow 11.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 51
    Intorno -89% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    51 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    5,021.4 left arrow 15.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,135.0 left arrow 11.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    855 left arrow 2545
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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