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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
14.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
3409
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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