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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
26
Velocità di lettura, GB/s
14.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
3596
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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