RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
99
Intorno 71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
99
Velocità di lettura, GB/s
14.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
1499
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link