RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
14.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
2648
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link