Confronto tra le RAM Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 31

Intorno 6% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 14.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 10.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2227 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns