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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,378.6
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
62
Intorno -77% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
35
Velocità di lettura, GB/s
4,670.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,378.6
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
861
2672
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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