RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
27
Velocità di lettura, GB/s
12.1
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3584
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link