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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
19.2
写入速度,GB/s
8.6
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3584
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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