RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2690
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link