RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2690
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link