RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
1900
Около 10.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
1900
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link