RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
1900
Wokół strony 10.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
1900
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link