RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
1900
Autour de 10.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
45
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
1900
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link