RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
41
Velocità di lettura, GB/s
13.9
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2044
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link